US 8.344.358 B2
Başlıktaki sayı bir ABD patent numarası. Phaedon Avouris, Damon B. Farmer, Yu-Ming Lin ve Yu Zhu tarafından sahiplenilen ve International Business Machines Corporation (IBM) adına bir patent. Aslında 7 Eylül 2010’da yapılmış bir başvuru ve 1 Ocak 2013’te yayınlanmış. Patent tek atom kalınlığındaki grafen iletken üzerinde bir “field effect transistor” (FET) buluşunu koruma altına alıyor.
Grafen esaslı yarıiletkenlerin, kullanıma sunulduğunda bize, günümüzde kullandığımız silikon esaslı olanlara göre bin kat daha yüksek hız verebileceğini, çok daha küçük olacağını ve çok daha az enerji tüketeceğini sizlerle 2010 Kasım’ında paylaşmıştım. 17 Ocak 2013’te, gene IBM’in patenti olarak yayınlanan US 2013.0015375 A1 sayılı belge, “terahertz” hızda bir transistörün patenti. Aslında bu konudaki patentler 2003 yılına kadar geriye gidiyor. Kısaca karbon esaslı yarıiletken, birilerinin aklına son birkaç senede gelivermiş değil. Ancak, bu “self aligned gate” transistör, “her iki senede, hız ikiye katlanır” şeklindeki Moore yasasında bir gedik açacak gibi görünüyor. Çünkü çeyrek asırlık bir sıçrama yapacağa benziyor.
Peki, biz neredeyiz? Ülkemizde, karbon atomlarını yan yana dizerek tek atom kalınlığında grafen elde etmeyi hedefleyen akademik yatırımlar var. Ama benzer patentler çıkmıyor. Herhalde bizde IBM olmadığı içindir? “IBM”in içindeki “B” harfi “babayiğit”in baş harfi olsa gerek. Hem patent çıksa ne olacak; patenti teknolojiye dönüştürüp ticari bir üründe kullan(a)madıktan sonra?
Yineliyorum, bu alanda çalışan şirketler çoğalıp düzeyleri yeterli noktaya gelene kadar da başınızı ağrıtacağım: patent almak, teknoloji sâhibi olmak anlamına gelmiyor. Ülkemizde, üretim yapan fabrikalar ile buluş yapan akademisyenler arasında yer alması gereken teknoloji dönüştürücüleri ya yok, ya da çok az sayıda ve/ya uğraş alanları çok yalın. Bu işlevin oluşması için “girişim sermayesi sağlamak” yeterli değil. Tavukların önüne çil çil altın da atsanız, onlar bununla yem almayı beceremiyorlarsa, açlıktan ölmeye mahkumdurlar.
